1. Od czego zależy przewodnictwo samoistne półprzewodnika?: częstotliwości napięcia miedzy okadzinami półprzewodników napięcia i prądu przepływajacego przez półprzewodnik rodzaju materiału półprzewodzącego i od temperatury prądu miedzy okładzinami
2. Od czego zależy pojemność warstwy zaporowej?: napięcia prądu mocy częstotliwości
3. Jak spolaryzowane jest złącze PN (dioda) w kierunku przewodzenia?. wyniku przyłożenia napięcia w kierunku zaporowym złącze PN przewodzi i ma dużą rezystancję wyniku przyłożenia napięcia w kierunku przewodzenia złącze PN przewodzi i ma dużą rezystancję wyniku przyłożenia napięcia w kierunku zaporowym złącze PN przewodzi i ma małą rezystancję wyniku przyłożenia napięcia w kierunku przewodzenia złącze PN przewodzi i ma małą rezystancję.
4. Jaką wielkość oznacza sie symbolem UF? spadek napięcia w kierunku przewodzenia spadek napięcia w kierunku zaporowym napięcie zasilania spadek napięcia na źródle zasilania
5. Wymień ważniejsze wartości graniczne diod półprzewodnikowych: napięcia wstecznego UR, prądu przewodzenia IF mocy traconej Ptot i temperatury złącza Vj napięcia wstecznego UR, prądu zaporowy IF mocy traconej Ptot i temperatury złącza Vj napięcia wstecznego UR, prądu przewodzenia IF mocy oddanej Ptot i temperatury pracy Vj napięcia zasilania UR, prądu zaporowy IF mocy traconej Ptot i temperatury złącza Vj.
6. Diodę, przez która płynie prąd IFmax = 100 mA, a na jej zaciskach jest napięcie UF = 0,72 V, dołączono do źródła napięcia 5 V. Jaki rezystor należy włączyć szeregowo z dioda, aby ograniczyć wartość prądu? : 4280Ω 428Ω 42,8Ω 4,28KΩ.
7. Do jakiego elementu elektronicznego należy przedstawiona na zdięciu charakterystyka napięciowo prądowa:
8. Jak muszą być spolaryzowane elektrody tranzystora NPN, aby był on w stanie przewodzenia? : Tranzystor NPN przewodzi, kiedy baza i kolektor są ujemnie spolaryzowane względem emitera Tranzystor NPN przewodzi, kiedy baza i kolektor są dodatnio spolaryzowane względem emitera Tranzystor NPN przewodzi, kiedy emiter i kolektor są dodatnio spolaryzowane względem bazy Tranzystor NPN przewodzi, kiedy emiter i baza są dodatnio spolaryzowane względem kolektora.
9. Przy stałym prądzie bazy Ie oraz UCE = 2 V, prąd Ic = 5,91 mA, przy UCE = 10 V, Jc = 5,99 mA. Jaka wartość ma dynamiczna rezystancja wyjściowa tranzystora? : 1GΩ 100kΩ 10kΩ 1kΩ:.
10. Czym różni sie stałoprądowy współczynnik wzmocnienia prądowego od zwarciowego współczynnika wzmocnienia prądowego. : Statyczny współczynnik wzmocnienia prądowego B jest potrzebny do obliczenia położenia Punktu pracy tranzystora, a dynamiczny współczynnik wzmocnienia napięciowego β do obliczenia wzmocnienia dla składowej zmiennej. Statyczny współczynnik wzmocnienia prądowego B jest potrzebny do obliczenia położenia Punktu pracy tranzystora, a dynamiczny współczynnik wzmocnienia prądowego β do obliczenia wzmocnienia dla składowej stałej. Statyczny współczynnik wzmocnienia prądowego B jest potrzebny do obliczenia położenia Punktu pracy tranzystora, a dynamiczny współczynnik wzmocnienia prądowego β do obliczenia wzmocnienia dla składowej zmiennej. Statyczny współczynnik wzmocnienia prądowego B jest potrzebny do obliczenia mocy tranzystora, a dynamiczny współczynnik wzmocnienia prądowego β do obliczenia wzmocnienia dla składowej zmiennej.
11. Na zdjęciu przedstawiono symbol:
12. Przedstawiony na zdjęciu rodzaj obudowy tranzystora to:
13.W tranzystorze FET zmiana napięcia bramka źródło o 0,5 mV powoduje zmiany prądu drenu o 1,5 mA. Jakie jest nachylenie charakterystyki bramkowej tego tranzystora? : 0,750 0,333 3 3,33.
14. Przedstawiony na zdjęciu rodzaj obudowy tranzystora to:
15. Do jakich częstotliwości można stosować tranzystory GBT: 10kHz 15kHz 18kHz 20kHz.
16. Dlaczego w wielu tranzystorach unipolarnych z izolowana bramka stosuje sie diody ograniczające?: aby zapobiec przebiciu elektrycznemu pomiędzy bramka i kanałem aby zapobiec przebiciu elektrycznemu pomiędzy źródłem i kanałem aby zapobiec przebiciu elektrycznemu pomiędzy drenem i kanałem aby zapobiec przebiciu elektrycznemu pomiędzy kanałem a podłożem.
17. Co to jest tyrystor? : to elementy, które składają się, co najmniej, z czterech warstw półprzewodnika o jednakowych typach przewodnictwa, to elementy, które składają się, co najmniej, z trzech warstw półprzewodnika o różnych typach przewodnictwa, to elementy, które składają się, co najmniej, z dwóch warstw półprzewodnika o różnych typach przewodnictwa, to elementy, które składają się, co najmniej, z czterech warstw półprzewodnika o różnych typach przewodnictwa,.
18.Na rysunku przedstawiony jest symbol tranzystora typu.
19. Który z symboli przedstawia tyrystor DIAC: .
20. Elektrody o nazwach;D-dren, S-źródło,G-bramka należą do: tranzystora bipolarnego tranzystora unipolarnego tyrystora didy Schottky'ego